集成电路存储器 上半年继续看涨

　　晋江新闻网1月17日讯 近日，国际半导体产业协会最新预测显示，2017年全球半导体产值将首度突破4000亿美元大关；2018年仍会是乐观成长的一年，预估半导体产值将成长4%~8%，且2019年产值将有望挑战5000亿美元关口。

　　数据显示，去年内存(DRAM)价格每季度涨幅都超过20%，被动元器件中的电容更是收获了4~5倍的涨幅。

　　北京半导体行业协会技术研究部部长朱晶认为，去年内存涨价的根本原因是供需失衡。三星、海力士及美光三家厂商此前有一部分内存生产线已转做闪存，导致产能减少，加之内存工艺节点向前推进缓慢、产品良率不高等原因，使得供给不足。

　　据了解，目前，全球内存市场被海外几家国际巨头垄断，上述三家公司的内存市场占有率合计超过90%。“前两年，存储器市场认为闪存的增速要快于内存，因此这些企业在做产品规划的时候收缩内存产能，转向侧重于闪存也是合理的，但是没想到下游需求依然很强劲。”朱晶在接受采访时表示。

　　2017年，调研机构预计当年全球手机出货量增速将达到2%，接近20亿部。同时，手机内存容量进一步升级，内存需求进一步扩张。另外，在数据中心、AI芯片等高性能计算领域，对内存的需求也大幅增加。

　　“内存市场的缺口确实存在，一旦上游供给跟不上就会形成涨价。”朱晶认为，在缺货的情况下，所有内存厂商一定会一起涨价，跟随企业与领跑企业之间差距不大。

　　有行业人士指出，内存代理商基于渠道优势，通过原厂排单拿货，其价格会随着原厂和市场行情波动而不同；在缺货行情中，小批放量，阶梯上涨。

　　在谈到今年的内存行情时，朱晶预测，2018上半年，内存供应依然偏紧，价格将延续上涨的趋势，至少要等到下半年供需平衡，价格才可能往下走，“今年内存是否会缺货取决于两方面因素：一是供应商扩产，如三星刚刚决定扩张内存产线，但是真正投产可能要到2019年；二是产品良率，良率不高也是去年缺货的重要因素之一。”

　　(记者_柯国笠)