全球3D NAND（非易失性存储技术）竞争形势加剧

　　晋江新闻网8月30日讯 近期，全球3D NAND(非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备)的发展迎来少见的红火，各方差距正逐步缩小。从3D NAND的技术与产能方面寻求突破，近期几大厂商都在加大力度。

　　东芝在今年春季开始量产48层3D NAND，并于7月15日在日本三重县半导体二厂举行启动仪式，未来该厂将量产64层3D NAND闪存。此举表明东芝可能领先于三星。三星原计划于2017年下半年量产64层3D NAND闪存。东芝在3D NAND闪存方面的决心很大，计划2017年3D NAND占其全部NAND出货量的50%，至2018财年增加到80%。另外，东芝与西部数据双方各自出资50%，在未来2016年到2018年的三年内将总投资约147亿美元在存储方面。

　　美光(Micron)在新加坡与英特尔合资的12英寸厂于2016年第一季度开始量产3D NAND，月产3000片，并计划于今年年底扩充产能至4万片/月。8月9日，美光正式推出了首款面向中高端智能手机市场的32GB 3D NAND存储产品。该芯片是业内最小的3D NAND存储芯片，基于3D NAND的多芯片封装(MCP)技术和低功耗LPDDR4X，使得该闪存芯片比标准的LPDDR4存储的能效更优。此外，与相同容量的平面NAND芯片相比，美光3D NAND芯片的尺寸可以缩小30%。

　　海力士也不甘示弱，其利川M14厂近期改造完毕。海力士表示，今年年底将达到2万～3万片3D NAND闪存产能，以应市场需求，第三季度之前的3D NAND闪存投资与生产重心放在36层产品，预计第四季度将扩大48层产品的投资与生产能力。另外，海力士计划投资约134亿美元，新建一座存储器制造厂。

　　英特尔方面，去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的NAND制造工厂。日前传出消息，英特尔大连厂NAND制造新项目于今年7月初实现提前投产。

　　虽然其他厂商你争我夺，但是目前三星的优势尚在。据专业研究机构发表的研究报告，三星应该会在2016年年底将3D NAND的月产能拉高至接近16万片晶圆。三星西安厂目前已接近(10万片/月)产能全开，且该公司还计划把Line 16厂部分2D NAND产能转换为3D。报告估计三星明年年底的3D NAND月产能将攀升至22万片，比今年年底的月产能(16万片)再扩充37.5%。

　　发展3D NAND已经是大势所趋。目前，中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。

　　(见习记者_柯国笠)